|
|
Zesilovače s unipolárními tranzistory JFET a MOSFET pro laboratorní výuku
Šimek, Dominik ; Petržela, Jiří (oponent) ; Langhammer, Lukáš (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá návrhem a realizací přípravku pro měření zesilovačů s unipolárními tranzistory, který bude využit v rámci laboratorní výuky. Cílem práce je vytvořit komplexní přípravek, který poskytne prostředek k měření základních charakteristik zesilovače v zapojení se společným Drainem, společným Sourcem i společným Gatem. Čímž pomůže studentům ke snazšímu pochopení principů unipolárních tranzistorů. Deska plošných spojů přípravku bude tvořena zapojeními zesilovačů s MOSFETy a JFETy, přičemž bude možné si vybrat, zda chceme měřit tranzistor s typem kanálu N či typem kanálu P. Samotný návrh je podložen rozborem základních teoretických vlastností unipolárních tranzistorů, výpočty a simulacemi, které jsou též součástí práce.
|
|
|
Market survey of high power semiconductor devices
Jankovský, Martin ; Rujbrová, Šárka (oponent) ; Zmrzlá, Petra (vedoucí práce)
The main topic of the work are modern high power semiconductor devices. Emerging wide-band-gap materials and their electrical characteristics are also discussed. The work is then focused on these modern devices, including their basics, application and availability on the market. Furthermore, the work presents the tables of the devices offered by the European leading semiconductor manufacturers.
|
|
|
Zesilovače s unipolárními tranzistory JFET a MOSFET pro laboratorní výuku
Šimek, Dominik ; Petržela, Jiří (oponent) ; Langhammer, Lukáš (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá návrhem a realizací přípravku pro měření zesilovačů s unipolárními tranzistory, který bude využit v rámci laboratorní výuky. Cílem práce je vytvořit komplexní přípravek, který poskytne prostředek k měření základních charakteristik zesilovače v zapojení se společným Drainem, společným Sourcem i společným Gatem. Čímž pomůže studentům ke snazšímu pochopení principů unipolárních tranzistorů. Deska plošných spojů přípravku bude tvořena zapojeními zesilovačů s MOSFETy a JFETy, přičemž bude možné si vybrat, zda chceme měřit tranzistor s typem kanálu N či typem kanálu P. Samotný návrh je podložen rozborem základních teoretických vlastností unipolárních tranzistorů, výpočty a simulacemi, které jsou též součástí práce.
|
|
|
Market survey of high power semiconductor devices
Jankovský, Martin ; Rujbrová, Šárka (oponent) ; Zmrzlá, Petra (vedoucí práce)
The main topic of the work are modern high power semiconductor devices. Emerging wide-band-gap materials and their electrical characteristics are also discussed. The work is then focused on these modern devices, including their basics, application and availability on the market. Furthermore, the work presents the tables of the devices offered by the European leading semiconductor manufacturers.
|
host ::
RSS.